类别  分立半导体产品晶体管-FET,MOSFET-单个
制造商 lnfineon  Technologies
系列HEXFET
包装 卷带（TR）剪切带（CT）DIgi-Reel
零件状态 在售
FET  类型  P  通道
技术  MOSFET  (金属氧货物)
漏源电压（VDSS） 55 V
25℃时电流--连续漏极（ID）31A (Tc)
驱动电压（最大 Rds on, 最小Rds on,）10V
不同 Id ‘vgs  时导通电阻（最大值）65 豪欧@16A，10V
不同 Id时 ‘vgs  （th）（最大值）4V@ 250
不同 Id ‘vgs  时栅极电荷（Qg）（最大值）63 nc @10V
vgs(最大值)+20V
不同 Id ‘vgs 时输入电容（ciss）(最大值)1200pF @ 25V
FET 功能-
功率耗散（最大值）110W（TC）
工作温度-55℃~175℃（TJ）
安装类型 表面贴装型
供应商器件封装D-Pak
封装/外壳 TO-252-3,DPak (2引线+接片)，SC-63
基本产品编号  IRFR5305